Methods and structures for die-to-die bonding

WO2021068225 Art A1 15. April 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021068225
Aktenzeichen: EP19948720
Anmeldetag: 12. Oktober 2019
Veröffentlichung: 15. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L25/18H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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