Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

WO2021068229 Art A1 15. April 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021068229
Aktenzeichen: EP19948478
Anmeldetag: 12. Oktober 2019
Veröffentlichung: 15. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11529H01L23/29

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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