Igzo thin-film transistor and method for manufacturing same
WO2021068672
Art A1
15. April 2021
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021068672
- Aktenzeichen
- EP20874602
- Anmeldetag
- 26. August 2020
- Veröffentlichung
- 15. April 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/34H01L21/02H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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