Three-dimensional memory die containing stress-compensating slit trench structures or stress-absorbing seal ring structures and methods for making the same

WO2021071545 Art A1 15. April 2021

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021071545
Aktenzeichen: EP20874018
Anmeldetag: 29. März 2020
Veröffentlichung: 15. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11556H01L27/1157H01L27/11573H01L25/065H01L23/522H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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