Method of testing memory device employing limited number of test pins and memory device utilizing same

WO2021072695 Art A1 22. April 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021072695
Aktenzeichen: EP19948977
Anmeldetag: 17. Oktober 2019
Veröffentlichung: 22. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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