Three-dimensional memory devices with backside isolation structures

WO2021072700 Art A1 22. April 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021072700
Aktenzeichen: EP19949001
Anmeldetag: 17. Oktober 2019
Veröffentlichung: 22. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11556H01L27/1157H01L27/11573H01L27/11582H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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