Lateral gan-based enhancement junction field-effect transistor device and preparation method therefor

WO2021072812 Art A1 22. April 2021

Anmelder: NANJING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021072812
Aktenzeichen: EP19949421
Anmeldetag: 30. Oktober 2019
Veröffentlichung: 22. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/10H01L29/808H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NANJING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nanjing University

Nanjing University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und medizinischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf anorganische Chemie und Werkstoffe, Medizintechnik, Software sowie Verfahrens- und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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