Composite crystalline metal oxide thin film transistor having vertical structure and manufacturing method therefor

WO2021073193 Art A1 22. April 2021

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021073193
Aktenzeichen: EP20876164
Anmeldetag: 24. Juli 2020
Veröffentlichung: 22. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/34H01L29/423H01L29/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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