Semiconductor device, and manufacturing method for same
WO2021075162
Art A1
22. April 2021
Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021075162
- Aktenzeichen
- EP20877388
- Anmeldetag
- 27. August 2020
- Veröffentlichung
- 22. April 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/3205H01L21/60H01L23/522H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI ELECTRIC CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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