Semiconductor device package comprising thermal interface layer and method for manufacturing same

WO2021075639 Art A1 22. April 2021

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG, FOUNDATION FOR RESEARCH AND BUSINESS, SEOUL NATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021075639
Aktenzeichen
EP19949073
Anmeldetag
19. Dezember 2019
Veröffentlichung
22. April 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/373H01L21/324
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
FOUNDATION FOR RESEARCH AND BUSINESS, SEOUL NATION
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

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