Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

WO2021077881 Art A1 29. April 2021

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021077881
Aktenzeichen: EP20879049
Anmeldetag: 20. August 2020
Veröffentlichung: 29. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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