Single-crystal metal film by solid-state crystal growth of seed crystals, large-area single-layer or multilayer graphene with adjusted orientation angle using same, and method for manufacturing same

WO2021080276 Art A1 29. April 2021

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021080276
Aktenzeichen: EP20878788
Anmeldetag: 20. Oktober 2020
Veröffentlichung: 29. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B1/02C30B1/04C30B29/02H01B5/14B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

503 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von