Bismuth vanadate electrode rich in surface oxygen vacancies, preparation method therefor and application thereof
WO2021082403
Art A1
6. Mai 2021
Anmelder: Tianjin University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021082403
- Aktenzeichen
- EP20880752
- Anmeldetag
- 18. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2021
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tianjin University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tianjin University
Die Tianjin University ist eine der ältesten technischen Hochschulen Chinas mit Sitz in Tianjin. Ihr Patentportfolio deckt breit die Elektronik- und Schaltungstechnik ab, ergänzt durch organische Chemie sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen sind seit 2002 belegt.
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