Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2021085078
Art A1
6. Mai 2021
Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021085078
- Aktenzeichen
- EP20881512
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2020
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/12H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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