Methods to enable seamless high quality gapfill

WO2021087132 Art A1 6. Mai 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021087132
Aktenzeichen: EP20883287
Anmeldetag: 29. Oktober 2020
Veröffentlichung: 6. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/02C23C16/40C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von