Bonded three-dimensional memory devices and methods for forming the same

WO2021087753 Art A1 14. Mai 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021087753
Aktenzeichen: EP19952080
Anmeldetag: 5. November 2019
Veröffentlichung: 14. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/11548H01L27/11551H01L27/1157H01L27/11575H01L27/11578H01L23/488

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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