Semiconductor structure and preparation method therefor
WO2021088378
Art A1
14. Mai 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021088378
- Aktenzeichen
- EP20885306
- Anmeldetag
- 19. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/48H01L23/488
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.