Semiconductor structure, fabrication method therefor, and semiconductor package structure

WO2021088379 Art A1 14. Mai 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021088379
Aktenzeichen: EP20883980
Anmeldetag: 19. Juni 2020
Veröffentlichung: 14. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/768H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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