Etching method, air gap type dielectric layer, and dynamic random access memory
WO2021088670
Art A1
14. Mai 2021
Anmelder: BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021088670
- Aktenzeichen
- EP20883832
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2020
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311H01L21/764H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing NAURA Microelectronics Equipment
Beijing NAURA Microelectronics Equipment ist ein chinesischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, mit weiteren Anmeldungen in Elektronik und Prozesssteuerung. Anmeldungen reichen von 2013 bis in die Gegenwart.
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