Etching device for silicon core wire and etching method for silicon core wire

WO2021090565 Art A1 14. Mai 2021

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021090565
Aktenzeichen: EP20884548
Anmeldetag: 4. September 2020
Veröffentlichung: 14. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: B08B3/04C01B33/021C23F1/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

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