3D Nand Gate Stack Reinforcement

WO2021092002 Art A1 14. Mai 2021

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021092002
Aktenzeichen: EP20884605
Anmeldetag: 4. November 2020
Veröffentlichung: 14. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11524H01L27/11556

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von