Plasma-enhanced atomic layer deposition with radio-frequency power ramping

WO2021092197 Art A1 14. Mai 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021092197
Aktenzeichen: EP20884880
Anmeldetag: 5. November 2020
Veröffentlichung: 14. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455H01J37/32C23C16/40C23C16/458

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von