Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2021095877 Art A1 20. Mai 2021

Anmelder: THE UNIVERSITY OF TOKYO 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021095877
Aktenzeichen: EP20887826
Anmeldetag: 13. November 2020
Veröffentlichung: 20. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/338H01L29/06H01L29/812H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: THE UNIVERSITY OF TOKYO
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

3.350 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von