Insulated gate bipolar transistor device and manufacturing method therefor
WO2021098376
Art A1
27. Mai 2021
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021098376
- Aktenzeichen
- EP20889891
- Anmeldetag
- 25. September 2020
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/331H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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