Polycrystalline silicon production device and polycrystalline silicon production method

WO2021100415 Art A1 27. Mai 2021

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021100415
Aktenzeichen: EP20890238
Anmeldetag: 27. Oktober 2020
Veröffentlichung: 27. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C01B33/035F16K5/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik

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