Interconnect structure with selective electroplated via fill

WO2021101909 Art A1 27. Mai 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021101909
Aktenzeichen: EP20889499
Anmeldetag: 17. November 2020
Veröffentlichung: 27. Mai 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/288C25D5/02C25D5/18C25D3/50C25D7/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von