Thin film material surface acoustic wave device with gs layered electrode, preparation method therefor and use thereof

WO2021103579 Art A1 3. Juni 2021

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY, SHOULDER ELECTRONICS LIMITED 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021103579
Aktenzeichen: EP20891907
Anmeldetag: 16. Juli 2020
Veröffentlichung: 3. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H03H9/02H03H3/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TSINGHUA UNIVERSITY
SHOULDER ELECTRONICS LIMITED
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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