Semiconductor memory and forming method therefor

WO2021109504 Art A1 10. Juni 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021109504
Aktenzeichen
EP20895158
Anmeldetag
29. Mai 2020
Veröffentlichung
10. Juni 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/8242H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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