Silicon carbide substrate and method for manufacturing silicon carbide substrate

WO2021111835 Art A1 10. Juni 2021

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021111835
Aktenzeichen: EP20896056
Anmeldetag: 12. November 2020
Veröffentlichung: 10. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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