Composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern forming method, circuit pattern forming method, oligomer, and purification method
WO2021112194
Art A1
10. Juni 2021
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021112194
- Aktenzeichen
- EP20895412
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08G61/00G03F7/11G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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