In-Situ Pecvd Cap Layer

WO2021113257 Art A1 10. Juni 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021113257
Aktenzeichen: EP20896352
Anmeldetag: 1. Dezember 2020
Veröffentlichung: 10. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/455C23C16/505C23C16/56H01L21/768H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von