Sense circuit and sensing operation method in flash memory devices
WO2021114013
Art A1
17. Juni 2021
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021114013
- Aktenzeichen
- EP19955858
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.