Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

WO2021115793 Art A1 17. Juni 2021

Anmelder: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN, IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROE 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021115793
Aktenzeichen: EP20811343
Anmeldetag: 26. November 2020
Veröffentlichung: 17. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L23/522H01L23/66H01L25/16H01Q1/22H01Q23/00H01Q13/10H01Q19/06H01Q21/00H01Q21/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROE
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Technische Universität Dresden

Deutsche Volluniversität mit Sitz in Dresden, Forschung und Lehre in Natur-, Ingenieur-, Geistes- und Gesellschaftswissenschaften, mit zahlreichen Patentanmeldungen aus ihren technischen Fakultäten und Instituten.

686 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von