Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tube

WO2021120766 Art A1 24. Juni 2021

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021120766
Aktenzeichen: EP20903764
Anmeldetag: 25. September 2020
Veröffentlichung: 24. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von