Verfahren zur Bestimmung von Defektdichten in Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
WO2021122014
Art A1
24. Juni 2021
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021122014
- Aktenzeichen
- EP20816476
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B33/06G01N21/3563H01L21/66G01N21/47G01N21/95
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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