Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

WO2021124003 Art A1 24. Juni 2021

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021124003
Aktenzeichen: EP20901519
Anmeldetag: 4. Dezember 2020
Veröffentlichung: 24. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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