Silicon carbide semiconductor device

WO2021124800 Art A1 24. Juni 2021

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021124800
Aktenzeichen: EP20904129
Anmeldetag: 20. November 2020
Veröffentlichung: 24. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/28H01L29/41H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von