Method of forming a device with split gate non-volatile memory cells, hv devices having planar channel regions and finfet logic devices

WO2021126310 Art A1 24. Juni 2021

Anmelder: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021126310
Aktenzeichen: EP20737827
Anmeldetag: 22. Juni 2020
Veröffentlichung: 24. Juni 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11546H01L21/8238H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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