Group iii nitride single-crystal substrate and method for manufacturing same

WO2021132491 Art A1 1. Juli 2021

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021132491
Aktenzeichen: EP20904572
Anmeldetag: 24. Dezember 2020
Veröffentlichung: 1. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/20H01L21/205H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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