Three-dimensional flash memory supporting hole injection erase technique and method for manufacturing same

WO2021133117 Art A1 1. Juli 2021

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021133117
Aktenzeichen: EP20905901
Anmeldetag: 24. Dezember 2020
Veröffentlichung: 1. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L27/11565H01L29/792H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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