Method of forming single layer nitrogen-doped graphene

WO2021133158 Art A1 1. Juli 2021

Anmelder: MIMOS BERHAD 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021133158
Aktenzeichen: EP20904978
Anmeldetag: 29. Oktober 2020
Veröffentlichung: 1. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C01B32/186C23C16/02C23C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MIMOS BERHAD
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

Malaysisches staatliches Forschungsinstitut für Informations- und Kommunikationstechnologie mit Sitz in Kuala Lumpur. Die Patente decken Halbleitertechnik, Mikroelektronik und IT-Sicherheit ab.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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