Tunable gaussian heterojunction transistors, fabricating methods and applications of same

WO2021133772 Art A1 1. Juli 2021

Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY, THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOI 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021133772
Aktenzeichen: EP20905643
Anmeldetag: 22. Dezember 2020
Veröffentlichung: 1. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/66H01L27/07G06N3/063G06N3/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NORTHWESTERN UNIVERSITY
THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOI
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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