Ultrahigh-throughput platform and ultrahigh-throughput screening method for screening crystal formation conditions
WO2021135090
Art A1
8. Juli 2021
Anmelder: Sun Yat-Sen University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021135090
- Aktenzeichen
- EP20908769
- Anmeldetag
- 18. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 8. Juli 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B01L3/00G01N21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sun Yat-Sen University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Sun Yat-Sen University
Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.
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