Methods for multi-wafer stacking and dicing

WO2021138794 Art A1 15. Juli 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021138794
Aktenzeichen: EP20912093
Anmeldetag: 7. Januar 2020
Veröffentlichung: 15. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/98H01L21/78H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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