Layout structure for improving high-frequency reliability of mim capacitor and implementation method thereof

WO2021139600 Art A1 15. Juli 2021

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021139600
Aktenzeichen: EP20912442
Anmeldetag: 31. Dezember 2020
Veröffentlichung: 15. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von