Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

WO2021141616 Art A1 15. Juli 2021

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021141616
Aktenzeichen: EP20912190
Anmeldetag: 4. Juni 2020
Veröffentlichung: 15. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11514H01L27/11507

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von