High-speed 3d metal printing of semiconductor metal interconnects

WO2021142187 Art A1 15. Juli 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021142187
Aktenzeichen: EP21738307
Anmeldetag: 8. Januar 2021
Veröffentlichung: 15. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C25D5/04C25D5/02C25D17/12C25D1/00C25D7/12H01L21/288H01L21/768B33Y30/00B33Y50/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von