Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode

WO2021144261 Art A1 22. Juli 2021

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021144261
Aktenzeichen: EP21700419
Anmeldetag: 12. Januar 2021
Veröffentlichung: 22. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/10H01S5/20H01S5/185

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von