Method for producing rare-earth-containing sic substrate and sic epitaxial layer

WO2021149235 Art A1 29. Juli 2021

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021149235
Aktenzeichen: EP20914893
Anmeldetag: 24. Januar 2020
Veröffentlichung: 29. Juli 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/20H01L21/20H01L21/203H01L21/205C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von