Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
WO2021152651
Art A1
5. August 2021
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021152651
- Aktenzeichen
- EP20916529
- Anmeldetag
- 27. Januar 2020
- Veröffentlichung
- 5. August 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L21/205H01L21/265H01L29/06H01L29/12H01L29/861H01L29/868
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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